Folha de dados MOSFET 200mA, 60 Volts de baixa potência

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O post explica as principais especificações e pinagens de um pequeno sinal, mosfet 2N7000G do canal N de baixa potência.

Mosfets vs BJTs

Quando falamos de mosfets, normalmente o associamos a aplicações de alta corrente, alta tensão e alta potência.



No entanto, assim como os BJTs comuns, pequenos mosftes de sinal também estão disponíveis, os quais podem ser usados ​​de forma tão eficaz quanto seus equivalentes BJT.

Mosfets são populares por sua capacidade de entrega de energia extremamente alta, embora sejam menores em suas dimensões gerais.



Ao contrário dos BJTs, os mosfets lidariam com correntes e tensões enormes sem aumentar seu tamanho e sem envolver estágios intermediários de buffer ou estágios de driver de alta corrente.

Como o Mosfet é acionado

A maior vantagem de usar um mosfet é que ele pode ser acionado conforme desejado para operar uma determinada carga, independentemente da corrente de acionamento do gate.

O recurso acima permite que os mosfets sejam disparados diretamente de fontes de baixa corrente, como saídas CMOS ou TTL, sem a necessidade de estágios de buffer, uma grande diferença em comparação com BJTs.

O recurso acima também se aplica a pequenos mosfets de sinal que podem ser substituídos diretamente por BJTs de pequeno sinal, como um BC547 para obter resultados muito eficientes. Uma dessas especificações de mosfet de pequeno sinal é discutida aqui.

É o mosfet 2N7000G do canal N, normalmente adequado para aplicações de pequenos sinais na faixa de 200mA e 60 V no máximo.

A resistência do estado ligado em seus terminais de dreno e fonte é normalmente em torno de 5 ohms. As características principais deste pequeno sinal, mosfet de baixa potência estão listadas abaixo:

Principais características elétricas:

Dreno para a tensão da fonte Vdss = 60V DCGate para a tensão da fonte Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC pico não repetitivo, não excedendo 50 microssegundos Corrente de drenagem Id = 200mA DC contínuo, 500mA pulsado

Dissipação de potência total Pd em Tc = 250 C (temperatura de junção) = 350 mW As pinagens e detalhes do pacote podem ser vistos aqui:




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